RGS30TSX2DHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGS30TSX2DHRC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 524.51 грн |
| 5+ | 452.7 грн |
| 10+ | 380.07 грн |
| 50+ | 336.44 грн |
| 100+ | 295.34 грн |
| 250+ | 261.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS30TSX2DHRC11 ROHM
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 157 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.
Інші пропозиції RGS30TSX2DHRC11 за ціною від 269.45 грн до 625.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS30TSX2DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS30TSX2DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 157 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 41 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 267 W |
на замовлення 3128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS30TSX2DHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors FIELD STOP TRENCH IGBT |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|