RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 465.49 грн |
28+ | 445.5 грн |
50+ | 428.52 грн |
100+ | 399.19 грн |
250+ | 358.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns, Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 468 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 535 W.
Інші пропозиції RGC80TSX8RGC11 за ціною від 340.24 грн до 805.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1800V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 468 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 535 W |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor | IGBTs RGC80TSX8R is the reverse conducting IGBT. The datasheet is coming soon. |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1800V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 267W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.8kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 0.12µs Turn-off time: 725ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 267W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 468nC Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 267W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.8kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 0.12µs Turn-off time: 725ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 267W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 468nC Mounting: THT Case: TO247-3 |
товар відсутній |