RGC80TSX8RGC11

RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor


rgc80tsx8r-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1800V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+465.49 грн
28+ 445.5 грн
50+ 428.52 грн
100+ 399.19 грн
250+ 358.42 грн
Мінімальне замовлення: 27
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGC80TSX8RGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns, Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 468 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 535 W.

Інші пропозиції RGC80TSX8RGC11 за ціною від 340.24 грн до 805.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGC80TSX8RGC11 RGC80TSX8RGC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgc80tsx8r-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1800V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+465.49 грн
28+ 445.5 грн
50+ 428.52 грн
100+ 399.19 грн
250+ 358.42 грн
Мінімальне замовлення: 27
RGC80TSX8RGC11 RGC80TSX8RGC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGC80TSX8R&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/565ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 468 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1800 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 535 W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+736.88 грн
30+ 421.28 грн
120+ 357.9 грн
RGC80TSX8RGC11 RGC80TSX8RGC11 Виробник : ROHM rgc80tsx8r-e.pdf Description: ROHM - RGC80TSX8RGC11 - IGBT, 80 A, 2.2 V, 535 W, 1.8 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+756.91 грн
5+ 633.45 грн
10+ 509.18 грн
50+ 461.57 грн
100+ 415 грн
250+ 347.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGC80TSX8RGC11 RGC80TSX8RGC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGC80TSX8R&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs RGC80TSX8R is the reverse conducting IGBT. The datasheet is coming soon.
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+784.67 грн
10+ 560.04 грн
25+ 418.65 грн
100+ 356.07 грн
450+ 340.24 грн
RGC80TSX8RGC11 RGC80TSX8RGC11 Виробник : Rohm Semiconductor rgc80tsx8r-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1800V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+805.27 грн
21+ 590.73 грн
50+ 569.38 грн
100+ 424.53 грн
200+ 375.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
RGC80TSX8RGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGC80TSX8R&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 267W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 468nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGC80TSX8RGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGC80TSX8R&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 267W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 725ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 468nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
товар відсутній