RFUH10TF6SFHC9 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V VR 10A IO ITO-220AC; TO-220NFM
Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V VR 10A IO ITO-220AC; TO-220NFM
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.37 грн |
10+ | 110.02 грн |
100+ | 74.09 грн |
500+ | 61.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFUH10TF6SFHC9 ROHM Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220NFM, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RFUH10TF6SFHC9 за ціною від 68.26 грн до 162.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFUH10TF6SFHC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220NFM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|