RFN10NS6STL

RFN10NS6STL Rohm Semiconductor


rfn10ns6s.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
212+57.78 грн
250+ 55.46 грн
Мінімальне замовлення: 212
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFN10NS6STL Rohm Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції RFN10NS6STL за ціною від 46.04 грн до 122.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFN10NS6STL RFN10NS6STL Виробник : Rohm Semiconductor rfn10ns6s.pdf Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
212+57.78 грн
250+ 55.46 грн
500+ 53.46 грн
1000+ 49.87 грн
Мінімальне замовлення: 212
RFN10NS6STL RFN10NS6STL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RFN10NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Small Signal Switching Diodes Diode Switching 600V 10A
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.53 грн
10+ 100.1 грн
100+ 69.56 грн
500+ 58.91 грн
1000+ 48.99 грн
2000+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFN10NS6STL RFN10NS6STL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
RFN10NS6STL RFN10NS6STL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10NS6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній