RF6L025BGTCR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 19.69 грн |
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Технічний опис RF6L025BGTCR ROHM
Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції RF6L025BGTCR за ціною від 8.42 грн до 34.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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RF6L025BGTCR | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET 60V N-CHAN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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RF6L025BGTCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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