RF6G035BGTCR

RF6G035BGTCR ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET 40V N-CHAN
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.22 грн
13+ 27.05 грн
100+ 17.55 грн
500+ 13.81 грн
1000+ 10.65 грн
3000+ 9.71 грн
9000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF6G035BGTCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF6G035BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції RF6G035BGTCR за ціною від 30.83 грн до 35.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF6G035BGTCR RF6G035BGTCR Виробник : ROHM rf6g035bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF6G035BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+35.83 грн
27+ 30.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
RF6G035BGTCR RF6G035BGTCR Виробник : ROHM rf6g035bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF6G035BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)