Продукція > ROHM > RF4P025ATTCR
RF4P025ATTCR

RF4P025ATTCR ROHM

rf4p025attcr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.62 грн
500+ 30.72 грн
1000+ 21.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4P025ATTCR ROHM

Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції RF4P025ATTCR за ціною від 21.03 грн до 75.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.25 грн
10+ 52.08 грн
100+ 36.01 грн
500+ 28.24 грн
1000+ 24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : ROHM Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf MOSFETs RF4P025AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.65 грн
10+ 59.48 грн
100+ 35.32 грн
500+ 29.49 грн
1000+ 25.82 грн
3000+ 21.87 грн
6000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : ROHM rf4p025attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+75.45 грн
13+ 63.1 грн
100+ 39.62 грн
500+ 30.72 грн
1000+ 21.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
RF4P025ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
559+21.86 грн
561+ 21.76 грн
Мінімальне замовлення: 559
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
товар відсутній