RF4E075ATTCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E075ATTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RF4E075ATTCR за ціною від 14.96 грн до 48.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E075ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E075ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E075ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 7776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E075ATTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V -7.5A Middle Power MOSFET |
на замовлення 4730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E075ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RF4E075ATTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RF4E075ATTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |