RF081L2STE25 Rohm Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1388+ | 8.79 грн |
| 1510+ | 8.09 грн |
| 1557+ | 7.84 грн |
| 1617+ | 7.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF081L2STE25 Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: PMDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RF081L2STE25 за ціною від 15.69 грн до 26.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RF081L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Diode Switching 200V 1.1A 2-Pin PMDS T/R |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RF081L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| RF081L2STE25 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
RF081L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|||||||||
 |
RF081L2STE25 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Rectifiers DIODE FAST REC 200V 1.1A SOD-106 |
товар відсутній |