Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RCD100N19TL
RCD100N19TL

RCD100N19TL Rohm Semiconductor

rcd100n19-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 190V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+72.58 грн
176+ 69.33 грн
250+ 66.55 грн
500+ 61.86 грн
1000+ 55.41 грн
Мінімальне замовлення: 169
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCD100N19TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RCD100N19TL за ціною від 39.46 грн до 99.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RCD100N19TL RCD100N19TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RCD100N19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.6 грн
10+ 78.3 грн
100+ 60.9 грн
500+ 48.44 грн
1000+ 39.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
RCD100N19TL RCD100N19TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RCD100N19&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
RCD100N19TL RCD100N19TL Виробник : ROHM Semiconductor rcd100n19-e-1018290.pdf MOSFET 4V Drive Nch Power MOSFET
товар відсутній