R6086YNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 781W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 766.45 грн |
| 10+ | 650.4 грн |
| 100+ | 562.49 грн |
| 500+ | 478.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6086YNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6086YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.036 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 781W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6086YNZ4C13 за ціною від 461.02 грн до 1295.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6086YNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6086YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 86 A, 0.036 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 781W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6086YNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| R6086YNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| R6086YNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|