R6030JNXC7G ROHM Semiconductor
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 317.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6030JNXC7G ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6030JNXC7G за ціною від 269.51 грн до 554.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6030JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6030JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6030JNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 143mΩ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Gate charge: 74nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| R6030JNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 143mΩ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Gate charge: 74nC |
товар відсутній |