R6025JNZC8 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 571.14 грн |
10+ | 471.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6025JNZC8 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF, Packaging: Bag, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6025JNZC8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
R6025JNZC8 | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET NCH 600V 25A POWER |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
R6025JNZC8 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
R6025JNZC8 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
R6025JNZC8 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
товар відсутній |