R6025JNZC17 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 498 грн |
| 10+ | 411.07 грн |
| 300+ | 322.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6025JNZC17 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6025JNZC17 за ціною від 250.33 грн до 679.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6025JNZC17 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6025JNZC17 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6025JNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6025JNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |