R6025JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 462.21 грн |
| 30+ | 355.17 грн |
| 120+ | 329.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6025JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA, Supplier Device Package: TO-247G, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6025JNZ4C13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6025JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
R6025JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
R6025JNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
|
 |
R6025JNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs R6025JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
товар відсутній |