R6024KNZ4C13 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 296.96 грн |
| 10+ | 199.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6024KNZ4C13 ROHM
Description: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6024KNZ4C13 за ціною від 233.78 грн до 563.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6024KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6024KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6024KNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6024KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 245W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: THT Case: TO247 |
товар відсутній |