R6020ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 456.76 грн |
| 30+ | 251.34 грн |
| 120+ | 209.71 грн |
| 510+ | 168.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6020ENZ4C13 за ціною від 181.27 грн до 637.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020ENZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6020ENZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6020ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R6020ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |