R6020ENJTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 154.13 грн |
| 200+ | 142.37 грн |
| 500+ | 130.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENJTL ROHM
Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6020ENJTL за ціною від 88.48 грн до 265.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6020ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6020ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6020ENJTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6020ENJTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6020ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6020ENJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Power dissipation: 231W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
R6020ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| R6020ENJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Power dissipation: 231W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |