R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFETs R6007JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.51 грн |
| 10+ | 103.4 грн |
| 100+ | 81.28 грн |
| 250+ | 74.81 грн |
| 500+ | 68.26 грн |
| 1000+ | 58.63 грн |
| 2500+ | 53.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Case: TO252, On-state resistance: 780mΩ, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 96W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 21A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7A, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції R6007JND3TL1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6007JND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| R6007JND3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO252 On-state resistance: 780mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Gate charge: 17.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
| R6007JND3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO252 On-state resistance: 780mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Gate charge: 17.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A |
товар відсутній |