на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 36.67 грн |
10000+ | 34.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6004RND3TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції R6004RND3TL1 за ціною від 32.1 грн до 79.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6004RND3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
R6004RND3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
R6004RND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
R6004RND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V |
товар відсутній |