на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 164.49 грн |
| 10+ | 135.67 грн |
| 100+ | 93.51 грн |
| 250+ | 86.32 грн |
| 500+ | 79.13 грн |
| 1000+ | 66.68 грн |
| 2000+ | 63.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6004KNXC7G ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6004KNXC7G за ціною від 66.73 грн до 179.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6004KNXC7G | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| R6004KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|