R5011FNX Rohm Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
58+ | 212.94 грн |
60+ | 204.83 грн |
100+ | 197.88 грн |
250+ | 185.02 грн |
500+ | 166.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R5011FNX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R5011FNX за ціною від 173.36 грн до 367.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R5011FNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
R5011FNX | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 500V 11A |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
R5011FNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
товар відсутній |