QS8M51FRATR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - QS8M51FRATR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 61.17 грн |
| 500+ | 41.36 грн |
| 1000+ | 31.26 грн |
| 2000+ | 29.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8M51FRATR ROHM
Description: ROHM - QS8M51FRATR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 2 A, 0.24 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції QS8M51FRATR за ціною від 29.74 грн до 107.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QS8M51FRATR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS8M51FRATR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 2 A, 0.24 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QS8M51FRATR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2/1.5A; Idm: 6A; 1.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 2/1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.5W Case: TSMD8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 355/540mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.7/17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| QS8M51FRATR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2/1.5A; Idm: 6A; 1.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 2/1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.5W Case: TSMD8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 355/540mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.7/17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |