QS8M31TR

QS8M31TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.81 грн
6000+ 19.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8M31TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

Інші пропозиції QS8M31TR за ціною від 19.28 грн до 85.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QS8M31TR QS8M31TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m31tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
365+33.47 грн
380+ 32.13 грн
500+ 30.97 грн
1000+ 28.89 грн
Мінімальне замовлення: 365
QS8M31TR QS8M31TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3/-2A
Pulsed drain current: 4...6A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMD8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137/266mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.26 грн
43+ 20.91 грн
116+ 19.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
QS8M31TR QS8M31TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3/-2A
Pulsed drain current: 4...6A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMD8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137/266mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.91 грн
43+ 26.05 грн
116+ 23.65 грн
3000+ 23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
QS8M31TR QS8M31TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs QS8M31 is complex type MOSFET(P+N) for swiching application. 60V Nch+Pch MOSFET.
на замовлення 9831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.84 грн
10+ 56.17 грн
100+ 33.02 грн
500+ 26.4 грн
1000+ 23.45 грн
3000+ 20.07 грн
6000+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
QS8M31TR QS8M31TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 9128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.59 грн
10+ 51.93 грн
100+ 34.21 грн
500+ 24.95 грн
1000+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
QS8M31TR QS8M31TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m31tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)