PMDPB30XNAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB30XNAX Nexperia USA Inc.
Description: PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMDPB30XNAX за ціною від 8.78 грн до 48.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB30XNAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDPB30XNAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|