PJS6839_S1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.39 грн |
| 6000+ | 6.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJS6839_S1_00001 Panjit International Inc.
Description: 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6.
Інші пропозиції PJS6839_S1_00001 за ціною від 3.9 грн до 31.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJS6839_S1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJS6839_S1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJS6839_S1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 |
на замовлення 9997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJS6839_S1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 20582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJS6839-S1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-60TLMP |
товар відсутній |