PDTC143EMB315

PDTC143EMB315 NXP USA Inc.


PDTC143EMB.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 119975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11225+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 11225
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC143EMB315 NXP USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PDTC143EMB315 за ціною від 2.74 грн до 2.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTC143EMB315 Виробник : NXP PDTC143EMB.pdf Description: NXP - PDTC143EMB315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 119975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14285+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 14285