PCDB20120G1_R2_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 690.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDB20120G1_R2_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDB20120G1_R2_00001 за ціною від 751.97 грн до 1006.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PCDB20120G1_R2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| PCDB20120G1_R2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDB20120G1-R2 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||
 |
PCDB20120G1_R2_00001 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC Schottky Barrier Diode |
товар відсутній |