PBHV8110DA-AU_R1_000A1

PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.


PBHV8110DA.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.

Description: TRANS NPN 100V 1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.25 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBHV8110DA-AU_R1_000A1 за ціною від 2.88 грн до 26.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PBHV8110DA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...300
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+16.14 грн
30+ 12.89 грн
100+ 5.41 грн
222+ 3.95 грн
610+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PBHV8110DA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...300
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.37 грн
18+ 16.06 грн
100+ 6.49 грн
222+ 4.74 грн
610+ 4.49 грн
9000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PBHV8110DA.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.34 грн
20+ 15.14 грн
100+ 7.38 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit PBHV8110DA_AU-2887538.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.86 грн
16+ 21.34 грн
100+ 9.78 грн
500+ 6.47 грн
1000+ 4.39 грн
3000+ 3.38 грн
9000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 13