NTE3320 NTE Electronics
Виробник: NTE Electronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE3320 NTE Electronics
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 50A, Power dissipation: 240W, Case: TO3P, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 100A, Mounting: THT, Turn-on time: 240ns, Turn-off time: 430ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE3320
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTE3320 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 240W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Turn-on time: 240ns Turn-off time: 430ns |
товар відсутній |