Технічний опис NE3508M04-T2-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 120mA, Frequency: 2GHz, Power - Output: 18dBm, Gain: 14dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: F4TSMM, M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3508M04-T2-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3508M04-T2-A | Виробник : Renesas |
 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR POWERMOSFETкількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
NE3508M04-T2-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 120mA Frequency: 2GHz Power - Output: 18dBm Gain: 14dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.45dB Supplier Device Package: F4TSMM, M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |