MSC750SMA170S Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT 1700V D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Supplier Device Package: D3Pak
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 432.64 грн |
| 25+ | 384.3 грн |
| 100+ | 333.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC750SMA170S Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 12A; 63W; D3PAK, Case: D3PAK, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 4A, On-state resistance: 940mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 63W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 12A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC750SMA170S за ціною від 331.61 грн до 483.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC750SMA170S | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268 |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC750SMA170S | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) D3PAK |
товар відсутній |
|||||||||
 |
MSC750SMA170S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 12A; 63W; D3PAK Case: D3PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A On-state resistance: 940mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
MSC750SMA170S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 12A; 63W; D3PAK Case: D3PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A On-state resistance: 940mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 12A |
товар відсутній |