MSC035SMA170B MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3034.92 грн |
25+ | 2798.48 грн |
100+ | 2435.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA170B MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MSC035SMA170B за ціною від 2178.14 грн до 3166.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC035SMA170B | Виробник : Microchip Technology | SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247 |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
MSC035SMA170B | Виробник : Microchip Technology | MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||
MSC035SMA170B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 370W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 178nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
MSC035SMA170B | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||
MSC035SMA170B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 200A; 370W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 370W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 178nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.7kV |
товар відсутній |