MSC035SMA070B4 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1100.27 грн |
25+ | 977.57 грн |
100+ | 849.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA070B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MSC035SMA070B4 за ціною від 807.81 грн до 1627.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC035SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology | MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 54A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 54A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 283W Case: TO247-4 On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology | 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology | 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology | 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology | 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology | MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 |
товар відсутній |
||||||||||||
MSC035SMA070B4 | Виробник : Microchip Technology | 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
товар відсутній |