MSC035SMA070B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 700V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Description: MOSFET N-CH 700V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1108.05 грн |
25+ | 983.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC035SMA070B Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 700V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 283W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC035SMA070B за ціною від 783.35 грн до 1224.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC035SMA070B | Виробник : Microchip Technology | MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247 |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B | Виробник : Microsemi | Trans MOSFET SiC 700V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MSC035SMA070B | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET SiC 700V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
MSC035SMA070B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 283W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 44mΩ Pulsed drain current: 192A Gate charge: 99nC Polarisation: unipolar Drain current: 54A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 700V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
MSC035SMA070B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 283W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 44mΩ Pulsed drain current: 192A Gate charge: 99nC Polarisation: unipolar Drain current: 54A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 700V |
товар відсутній |