MRFX600HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 26.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 179 V
Voltage - Test: 65 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 9355.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX600HSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 26.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Voltage - Rated: 179 V, Voltage - Test: 65 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRFX600HSR5 за ціною від 9009.23 грн до 10033.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFX600HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780S-4L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRFX600HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin NI-780S T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
MRFX600HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
товар відсутній |