MRFX1K80NR5 NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.333kW
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 179V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 400MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.333kW
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12974.86 грн |
5+ | 12628.68 грн |
10+ | 12281.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX1K80NR5 NXP
Description: NXP - MRFX1K80NR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.333kW, Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRFX1K80NR5 за ціною від 12415.95 грн до 13449.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz |
на замовлення 40 шт: термін постачання 315-324 дні (днів) |
|
|||||||
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R |
товар відсутній |
||||||||
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R |
товар відсутній |
||||||||
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin Case OM-1230 T/R |
товар відсутній |
||||||||
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Voltage - Test: 65 V |
товар відсутній |
||||||||
MRFX1K80NR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Voltage - Test: 65 V |
товар відсутній |