MRF8S23120HR5 NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF8S23120HR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRF8S23120HR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 8485.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF8S23120HR5 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz, Power - Output: 28W, Gain: 16dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 800 mA.
Інші пропозиції MRF8S23120HR5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MRF8S23120HR5 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465M-01 T/R |
товар відсутній |
||
MRF8S23120HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Power - Output: 28W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA |
товар відсутній |