MRF8P20165WHSR5 NXP (VIA ROCHESTER)
Виробник: NXP (VIA ROCHESTER)Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF8P20165WHSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 1.88 GHz, 2.025 GHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2.025GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.88GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 9953.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF8P20165WHSR5 NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF8P20165WHSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 1.88 GHz, 2.025 GHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.025GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.88GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF8P20165WHSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF8P20165WHSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 |
товар відсутній |
|
|
|
MRF8P20165WHSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 |
товар відсутній |
|
|
|
MRF8P20165WHSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 |
товар відсутній |