MRF5S21130HSR5 Freescale Semiconductor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5916.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF5S21130HSR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21130HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 372 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-880S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 372W, Bauform - Transistor: NI-880S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF5S21130HSR5 за ціною від 7037.36 грн до 7037.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF5S21130HSR5 | Виробник : NXP (VIA ROCHESTER) |
 Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21130HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 372 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-880StariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 372W Bauform - Transistor: NI-880S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|