MRF5S19100HR NXP (VIA ROCHESTER)
Виробник: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HR - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HR - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 4870.72 грн |
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Технічний опис MRF5S19100HR NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HR - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 269W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).