MPIM650H217TG5

MPIM650H217TG5 MULTICOMP PRO


3164821.pdf Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MPIM650H217TG5 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 650 A, 1.85 V, 4.16 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 650A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 4.16kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.16kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 650A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Технічний опис MPIM650H217TG5 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - MPIM650H217TG5 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 650 A, 1.85 V, 4.16 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 650A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 4.16kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.16kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 650A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).