MPIM600M112TG5

MPIM600M112TG5 MULTICOMP PRO


3164819.pdf Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MPIM600M112TG5 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 1.7 V, 3 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Технічний опис MPIM600M112TG5 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - MPIM600M112TG5 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 1.7 V, 3 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 3kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).