Продукція > NXP > MHT1004NR3

MHT1004NR3 NXP


MHT1004N.pdf Виробник: NXP
Description: NXP - MHT1004NR3 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+14734.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MHT1004NR3 NXP

Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-2, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.45GHz, Power - Output: 280W, Gain: 15.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-2, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції MHT1004NR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MHT1004NR3 MHT1004NR3 Виробник : NXP Semiconductors 108934761745252mht1004n.pdfwt_assetdocumentationwt_file_formatp.pdf RF POWER LDMOS TRANSISTORS
товар відсутній
MHT1004NR3 MHT1004NR3 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-2
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.45GHz
Power - Output: 280W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-2
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній
MHT1004NR3 Виробник : NXP Semiconductors MHT1004N-1126797.pdf RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V
товар відсутній