MG150HF12LEC2

MG150HF12LEC2 Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules C2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1136 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.8 nF @ 25 V
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+5171.52 грн
30+ 4703.29 грн
60+ 4426.65 грн
120+ 3894.56 грн
240+ 3505.14 грн
600+ 3245.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG150HF12LEC2 Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules C2, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1136 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.8 nF @ 25 V.