MBRT600200R DACO Semiconductor
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB
Features of semiconductor devices: Schottky
Case: TO240AB
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 4kA
Leakage current: 10µA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB
Features of semiconductor devices: Schottky
Case: TO240AB
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 4kA
Leakage current: 10µA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5319.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRT600200R DACO Semiconductor
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB, Features of semiconductor devices: Schottky, Case: TO240AB, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward voltage: 0.92V, Load current: 300A x2, Semiconductor structure: common anode; double, Max. forward impulse current: 4kA, Leakage current: 10µA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MBRT600200R за ціною від 6107.66 грн до 13129.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MBRT600200R | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB Features of semiconductor devices: Schottky Case: TO240AB Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.92V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 4kA Leakage current: 10µA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
MBRT600200R | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 600A Reverse |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
MBRT600200R | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Power Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||
MBRT600200R | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER |
товар відсутній |