MBR20060CT GeneSiC Semiconductor
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7383.48 грн |
| 10+ | 6356.46 грн |
| 25+ | 5273.43 грн |
| 40+ | 5226.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR20060CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR20060CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR20060CT | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MBR20060CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Twin Tower |
товар відсутній |
|
| MBR20060CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 200A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
товар відсутній |