MBR200100CTS

MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor


mbr200100cts-1856734.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 100V 200A
на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, Mounting Type: Screw Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V.

Інші пропозиції MBR200100CTS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MBR200100CTS MBR200100CTS Виробник : GeneSiC Semiconductor 52mbr200100cts.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
MBR200100CTS MBR200100CTS Виробник : GeneSiC Semiconductor 52mbr200100cts.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 200A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
MBR200100CTS MBR200100CTS Виробник : GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 80 V
товар відсутній