LND150N3-G Microchip Technology
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 34.19 грн |
25+ | 31.44 грн |
100+ | 29.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LND150N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції LND150N3-G за ціною від 30.79 грн до 69.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFETs 500V 1KOhm |
на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 705 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LND150N3-G Код товару: 60544 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
LND150N3-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |