JAN2N3637 Microchip Technology
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN2N3637 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/357.
Інші пропозиції JAN2N3637 за ціною від 798.28 грн до 871.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N3637 | Виробник : Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| JAN2N3637 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
JAN2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 175V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 |
товар відсутній |